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    半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱

    半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱

    簡要描述:

    半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱特別適用于半導體電子器件做溫度破壞測試,主要測試半導體電子器件材料結構在瞬間下經高溫及低溫的連續沖擊環境下所能忍受的程度,得以在Z短時間內檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學變化或物理傷害。本試驗箱根據試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式,區別在于試驗方式和內部結構不同。

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    半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱特別適用于半導體電子器件做溫度破壞測試,主要測試半導體電子器件材料結構在瞬間下經溫及溫的連續沖擊環境下所能忍受的程度,得以在Z短時間內檢測試樣因熱脹冷縮所引起的化學變化或物理傷害。本試驗箱根據試驗需求及測試標準分為三箱式和兩箱式,區別在于試驗方式和內部結構不同。三箱式分為蓄冷室,蓄熱室和試驗室,產品在測試時是放置在試驗室。兩箱式分為高溫室和低溫室,是通過電機帶動提籃運動來實現高低溫的切換,產品放在提籃里,是隨提籃起移動的。

    愛佩半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱質量優勢主要核心配件均采用*的配件如法泰康或德比澤爾壓縮機控制器有韓三元、日本OYO、中中國臺灣臺通三*供客戶選擇,繼電器有日本路宮和泉三菱施耐德,美杜邦環保冷媒,丹麥(DANFOSS)瑞典(AlfaLaval)等配件,假罰十,能確保冷熱沖擊試驗箱長期正常的運行。

    半導體器件(semiconductor device)通常,這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別,有時也稱為分立器件。大部分二端器件(即晶體二管)的基本結構是個PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構,已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。晶體二管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件 般是有源器件,典型代表是各種晶體管(又稱晶體三管)。

    半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱技術參數表:

     

    冷熱沖擊試驗箱型號

     

     

    AP-CJ-80A

    AP-CJ-80B

    AP-CJ-80C

    AP-CJ-150A

    AP-CJ-150B

    AP-CJ-150C

    AP-CJ-250A

    AP-CJ-250B

    AP-CJ-250C

    AP-CJ-1000A

    AP-CJ-1000B

    AP-CJ-1000C

    標稱內容積(升)

    80

    150

    250

    300

    試驗方式

    氣動風門切換2溫室或3溫室方式

    性能

    高溫室

    預熱溫度范圍

    +60~+200℃

    升溫速率※1

    +60→+200℃≤30分鐘

    低溫室

    預冷溫度范圍

    -75-0℃

    降溫速率※1

    +20→-75℃≤30分鐘

    試驗室

    溫度偏差

    ±2℃

    溫度范圍

    TSL:(+60→+150)℃→(-40--10)℃;

    TSU:(+60~+150)℃~(-55~-10)℃;

    TSS:(+60~+150)℃~(-65~-10)℃

    溫度恢復時間※2

    5分鐘以內

    試樣擱架承載能力

    30kg

    試樣重量

    7.5kg

    7.5kg

    10kg

    10kg

    內部尺寸(mm)

    W

    500

    600

    700

    1000

    H

    400

    500

    600

    1000

    D

    400

    500

    600

    1000

    ※1半導體高低溫沖擊測試箱/半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗箱單獨運轉時的性能。

    如需了解更多請東莞市愛佩試驗設備有限公司廠家直營:或致電業務.

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